Моя заявка (0)

E Type N-Channel MOSFET, 62 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SQW61N65EF-GE3

E Type N-Channel MOSFET, 62 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SQW61N65EF-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014570917
Артикул
SQW61N65EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E Series
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 3 507,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор Vishay automotive серии E снижает потери при переключении и проводимости. Быстродействующий МОП-транзистор на корпусныx диодаx, используемый в автомобильной промышленности.

Технические параметры

SeriesE Series
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247AD
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation625Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ОсобенностиEnhancement Mode
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.052 Ω
Drain Source On State Resistance0.045Ом
Maximum Continuous Drain Current62 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока62А
Рассеиваемая Мощность625Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247AD
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.045Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А62
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация