Моя заявка (0)

SQW61N65EF-GE3, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Through Hole

SQW61N65EF-GE3, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 62 A, 0.045 ohm, TO-247AD, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007172877
Артикул
SQW61N65EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E Series
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 2 570 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор Vishay automotive серии E снижает потери при переключении и проводимости. Быстродействующий МОП-транзистор на корпусныx диодаx, используемый в автомобильной промышленности.

Технические параметры

SeriesE Series
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247AD
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation625Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.052 Ω
Drain Source On State Resistance0.045Ом
Maximum Continuous Drain Current62 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока62А
Рассеиваемая Мощность625Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247AD
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.045Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А62
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.045 Ом

Техническая документация