SQW33N65EF-GE3, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 34 A, 0.095 ohm, TO-247AD, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013669613
- Артикул
- SQW33N65EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 787 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E снижают потери при переключении и проводимости. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AD |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.109 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 34 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.095 Ом |