SQS850EN-T1_GE3, MOSFETs N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004729605
- Артикул
- SQS850EN-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SQ
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SQ |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 9.3 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 9.6 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.92 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 6.1A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 33 W |
| Power Dissipation (Max) | 33W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 33 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2021pF @ 30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |