Моя заявка (0)

Dual N-Channel MOSFET, 18 A, 60 V, 8-PIn PowerPAK 1212-8W VIshay SQS660CENW-T1_GE3

Dual N-Channel MOSFET, 18 A, 60 V, 8-PIn PowerPAK 1212-8W VIshay SQS660CENW-T1_GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063703429
Артикул
SQS660CENW-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series
TrenchFET
Series:
SQ
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный N-канальный транзистор Vishay TrenchFET - это МОП-транзистор с напряжением питания 60 В. 100 % тестирование на соответствие стандартам RG и UIS

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
SeriesTrenchFET
Series:SQ
Pin Count8
Fall Time:5 ns
Rise Time:4 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8W
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-1212-8W
Transistor Type:TrenchFET Power MOSFET
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17.4 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:62.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:26 S
Maximum Drain Source Resistance0.0112 Ω
Maximum Continuous Drain Current18 A
Rds On - Drain-Source Resistance:11.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация