SQS660CENW-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008562994
- Артикул
- SQS660CENW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Series:
- SQ
- Pin Count
- 8
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Series: | SQ |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8W |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8W |
| Transistor Type: | TrenchFET Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0112 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |