Моя заявка (0)

SQS484EN-T1_GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R Automotive AEC-Q101

SQS484EN-T1_GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001273008
Артикул
SQS484EN-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
Unknown
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 170 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 16A Автомобильный AEC-Q101 8-контактный PowerPak 1212 EP T/R

Технические параметры

PPAPUnknown
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.05
Package Length3.05
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK 1212 EP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)20
Typical Rise Time (ns)14
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)62000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)25.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)25.5@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)8
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)48
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)16
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1484@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)9@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация