Моя заявка (0)
SQS484CENW-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004641934
Артикул
SQS484CENW-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
7.2 ns
Rise Time:
2.4 ns
Вес, г
0.49
Цена по запросу
(от 98,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:7.2 ns
Rise Time:2.4 ns
Вес, г0.49
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-1212-8W-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:27 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:62.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 ns
Id - Continuous Drain Current:16 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:9.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация