Моя заявка (0)
SQS482ENW-T1_GE3, PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070067998
Артикул
SQS482ENW-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
18 ns
Rise Time:
21 ns
Вес, г
0.06
Цена по запросу
(от 161 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:18 ns
Rise Time:21 ns
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-1212-8W-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:26 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:62 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:49 ns
Id - Continuous Drain Current:16 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация