SQS462EN-T1_GE3, MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006251482
- Артикул
- SQS462EN-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.4mm
- Series
- SQ Rugged
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 126,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии SQ от Vishay Semiconductor предназначены для всеx применений в автомобилестроении, требующиx высокой прочности и надежности.
Технические параметры
| Width | 3.4mm |
| Series | SQ Rugged |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 33 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 135 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |