Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V PowerPAK 1212-8 SQS460EN-T1_GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030793664
Артикул
SQS460EN-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
8 ns
Rise Time:
8 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 326,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный N-канальный моп-транзистор Vishay Semiconductor на 175°C. Его комплектация - PowerPak 1212-8. Силовой моп-транзистор TrenchFET

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:8 ns
Rise Time:8 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:PowerPAK-1212-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SQS460EN-T1_BE3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:39 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Maximum Continuous Drain Current8 A
Rds On - Drain-Source Resistance:36 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация