Моя заявка (0)

SQS Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3

SQS Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030993509
Артикул
SQS460CENW-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 192,77 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный двуxканальный силовой МОП-транзистор Vishay automotive dual N-channel TrenchFET не содержит свинца и галогенов. Это МОП-транзистор единой конфигурации, который не зависит от рабочей температуры.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8W
Mounting TypePCB Mount
Power Dissipation27Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностиполевая сборка
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage60 V
Drain Source On State Resistance0.024Ом
Maximum Continuous Drain Current8 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока8А
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212-8W
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация