SQS420EN-T1_GE3, MOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004728729
- Артикул
- SQS420EN-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- TrenchFETВ®
- Series:
- SQ
- FET Type
- N-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | TrenchFETВ® |
| Series: | SQ |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.92 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 18 W |
| Power Dissipation (Max) | 18W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 36 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23.5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |