TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 18 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS414CENW-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016182783
- Артикул
- SQS414CENW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 122,88 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный N-канальный транзистор Vishay TrenchFET - это МОП-транзистор с напряжением питания 60 В. 100 % тестирование на соответствие стандартам RG и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.023 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |