SQS407ENW-T1_GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006236145
- Артикул
- SQS407ENW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 126,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 30V 16A Автомобильный AEC-Q101 8-контактный блок питания 1212-W EP T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK 1212-W EP |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Особенности | - |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 62500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 59 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 59@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11.4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 62 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 16 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3515@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 10.8@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |