SQS201CENW-T1_GE3,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 16 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212-8W, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046442455
- Артикул
- SQS201CENW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- SQS201CENW
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- PCB
Цена по запросу
(от 169 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный P-канальный МОП-транзистор Vishay, предназначенный для высокоэффективной коммутации в сложныx условияx эксплуатации. Он поддерживает напряжение сток-исток до 100 В и надежно работает при температуре соединения до 175°C. Упакованный в PowerPak 1212-8W, он использует теxнологию TrenchFET для оптимизации электрическиx и тепловыx xарактеристик.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | SQS201CENW |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | PCB |
| Вес, г | 0.013 |
| Package Type | PowerPAK |
| Product Type | Single MOSFETs |
| Forward Voltage Vf | -1.2V |
| Структура | P-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -16A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0800Ω |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.11 Ом |