SQS181ELNW-T1_GE3, MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025186848
- Артикул
- SQS181ELNW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 3 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 133,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |