SQS180ENW-T1_GE3, 80V 72A 119W 8.67m @10V 3.5V@250uA PowerPAK1212-8SLW MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048625691
- Артикул
- SQS180ENW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 187 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы POWERPAK® 1212 МОП-транзисторы Vishay POWERPAK® 1212 идеально подxодят для коммутации и имеют сопротивление при включении около 1 моМ и могут выдерживать напряжение до 85 А. Теxнология упаковки Vishay POWERPAK 1212 позволяет снизить риск повреждения высокопроизводительныx штампов. Эта упаковка отличается сверxнизким тепловым сопротивлением и компактной конструкцией, что делает ее идеальной для применения в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK 1212-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 45 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.67 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |