SQS178ELNW-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 72 V, 54 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046441887
- Артикул
- SQS178ELNW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 3 ns
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 242 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK 1212-8 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 54 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 76 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 72 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.5 mOhms |