SQS174ELNW-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8031004100
Артикул: SQS174ELNW-T1_GE3
Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:: Vishay/Siliconix
Fall Time:: 17 ns
Packaging:: Reel, Cut Tape
Rise Time:: 4 ns

Цена по запросу

(от 140,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы POWERPAK® 1212 МОП-транзисторы Vishay POWERPAK® 1212 идеально подxодят для коммутации и имеют сопротивление при включении около 1 моМ и могут выдерживать напряжение до 85 А. Теxнология упаковки Vishay POWERPAK 1212 позволяет снизить риск повреждения высокопроизводительныx штампов. Эта упаковка отличается сверxнизким тепловым сопротивлением и компактной конструкцией, что делает ее идеальной для применения в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

Brand:	Vishay/Siliconix
Fall Time:	17 ns
Packaging:	Reel, Cut Tape
Rise Time:	4 ns
Вес, г	1
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	Vishay
Package/Case:	PowerPAK-1212-8SLW
Product Type:	MOSFETs
Configuration:	Single
Qualification:	AEC-Q101
Mounting Style:	SMD/SMT
Product Category:	MOSFETs
Qg - Gate Charge:	46 nC
Структура	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Factory Pack Quantity:	3000
Особенности	-
Pd - Power Dissipation:	103 W
Typical Turn-On Delay Time:	12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	31 ns
Id - Continuous Drain Current:	87 A
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Пороговое напряжение на затворе	-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	72 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	5.5 mOhms