SQS121ELNW-T1_GE3,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 114 A, 0.005 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046491662
- Артикул
- SQS121ELNW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- P Channel
- Product Range
- TrenchFET Gen IV Series
Цена по запросу
(от 176 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | P Channel |
| Product Range | TrenchFET Gen IV Series |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | PowerPAK 1212-8SLW |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 114A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.3V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 114 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 119W |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.005 Ом |