Silicon N-Channel MOSFET, 192 A, 30 V, 8-Pin 1212-8SLW SQS120ELNW-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050982406
- Артикул
- SQS120ELNW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный PowerPak® 1212-8SLW для поверxностного монтажа, 30 В, 192 А (Tc), 119 Вт (Tc), со смачиваемой боковой частью
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SLW |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 119W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SLW |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4590 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 192A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 192 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |