Моя заявка (0)

SQM40061EL_GE3, 40V 100A 150W 5.1mOhm@30A,10V 2.5V@250uA 1 PIece P-Channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS

SQM40061EL_GE3, 40V 100A 150W 5.1mOhm@30A,10V 2.5V@250uA 1 PIece P-Channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070057472
Артикул
SQM40061EL_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
FET Type
P-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 258 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
FET TypeP-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±20V
Fall Time:160 ns
Rise Time:180 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerVishay Siliconix
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:185 nC
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250ВµA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Factory Pack Quantity:800
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.1mOhm @ 30A, 10V
Pd - Power Dissipation:150 W
Power Dissipation (Max)150W(Tc)
Supplier Device PackageTO-263(DВІPak)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs280nC @ 10V
Typical Turn-Off Delay Time:145 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:103 S
Rds On - Drain-Source Resistance:5.1 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14500pF @ 25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C100A(Tc)

Техническая документация