SQM40031EL_GE3, 40V 120A 375W 0.003Ohm@10V,120A 2.5V@250uA 1 PIece P-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044550591
- Артикул
- SQM40031EL_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 165 ns
- Rise Time:
- 30 ns
- Вес, г
- 2.36
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 165 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 2.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 800 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 250 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 123 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.003Ом |