TrenchFET N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V, 7-Pin D2PAK SQM40022EM_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026941096
- Артикул
- SQM40022EM_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4.83mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор TrenchFET® с низким тепловым сопротивлением
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |