SQM40020E Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SQM40020E_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014515475
- Артикул
- SQM40020E_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 9.65mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный N-канальный МОП-транзистор напряжением 40 В (D-S) при температуре 175°C. Силовой МОП-транзистор TrenchFET® с низким тепловым сопротивлением не определен
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |