SQM200N04-1m7L_GE3, MOSFETs 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006219030
- Артикул
- SQM200N04-1m7L_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1.6
- Длина
- 10.41 mm
- Серия
- SQ
- Высота
- 4.82 mm
Цена по запросу
(от 418,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified
Технические параметры
| Вес, г | 1.6 |
| Длина | 10.41 mm |
| Серия | SQ |
| Высота | 4.82 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16 ns |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-263-7 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 291 nC |
| Время нарастания | 17 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 181 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |