SQM120P06-07L_GE3, 60V 120A 375W 6.7mOhm@10V,30A P Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070197206
- Артикул
- SQM120P06-07L_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- D2PAK, TO263
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Mounting
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 32 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1.74 |
| Application | automotive industry |
| Gate charge | 0.27µC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -120A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 125W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 13mΩ |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -480A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 97 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 90 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |