SQM10250E_GE3, MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513393
- Артикул
- SQM10250E_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-263
- Power Dissipation
- 375Вт
Цена по запросу
(от 351,14 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-263 |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0244Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 65А |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 250В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0244Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |