SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 36А, 24Вт, PowerPAK® 8x8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062334316
- Артикул
- SQJQ960EL-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- Series:
- SQ
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Series: | SQ |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.6 |
| FET Feature | Standard |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 71W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | PowerPAKВ® 8x8 Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-8x8-4 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 71W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 10A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 71 W |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® 8x8 Dual |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.95nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 63A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 63 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 63A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |