SQJQ936EL-T1_GE3,Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046391419
- Артикул
- SQJQ936EL-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 4Pins
- Channel Type
- Dual N Channel
- Product Range
- TrenchFET Series
Цена по запросу
(от 579 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Product Range | TrenchFET Series |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Case Style | PowerPAK |
| Особенности | полевая сборка |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Power Dissipation N Channel | 75W |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 40V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 100A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 1800µohm |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0018 Ом |