SQJQ936E-T1_GE3,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046344071
- Артикул
- SQJQ936E-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- Dual N
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный двуxканальный МОП-транзистор TrenchFET 4-го поколения Vishay automotive dual N channel - это устройство, не содержащее свинца, свинца и галогенов, с МОП-транзистором единой конфигурации, которое не зависит от рабочей температуры.
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | Dual N |
| Package Type | PowerPAK 8x8L |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0023 Ом |