SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 40В, 60А, 25Вт, PowerPAK® 8x8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025723932
- Артикул
- SQJQ900E-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Fall Time: | 14 ns, 14 ns |
| Rise Time: | 7.5 ns, 7.5 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| FET Feature | Standard |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerPAK-8x8-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | PowerPAKВ® 8x8 Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 135 W |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® 8x8 Dual |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 120nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns, 14 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.9nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns, 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 105 S, 105 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.4 mOhms, 3.4 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A(Tc) |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.9mΩ@20A, 10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.9mΩ@20A, 10V |