SQJQ510E-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 286 A, 0.00186 ohm, PowerPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050448637
- Артикул
- SQJQ510E-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 86 nC
- V(DS)
- 100 V
- P(tot)
- 348 W
- Package
- PPAK 8x8L
Цена по запросу
(от 608 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 86 nC |
| V(DS) | 100 V |
| P(tot) | 348 W |
| Package | PPAK 8x8L |
| R(thJC) | 0.43 K/W |
| Packaging | REEL |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.001 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 1.55 mOhm |
| I(D)at Tc=25°C | 286 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 286 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00186 Ом |