SQJQ466E-T1_GE3, MOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641925
- Артикул
- SQJQ466E-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- Series:
- SQ
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 323,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60 В, POWERPAK; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 200 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0017 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 150 Вт; Тип корпуса транзистора: PowerPak; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: Серия TrenchFET; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (12 января 2017 г.)
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Series: | SQ |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.05 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-8x8-4 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 135 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® 8x8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.9 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10210pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |