N-Channel MOSFET, 430 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 8 x 8LR SQJQ186ER-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034724726
- Артикул
- SQJQ186ER-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SQJQ186ER
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 16 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® поколения IV МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET® поколения IV в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким коэффициентом усиления (вкл.), что приводит к более низким потерям проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SQJQ186ER |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 8x8LR |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK 8x8LR |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 123 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 600 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 53 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 329 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 430 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 430 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |