Моя заявка (0)

SQJQ148ER-T1_GE3, 40V 372mA 1.5mOhm@20A,10V 394W N Channel PowerPAK(8x8) MOSFETs ROHS

SQJQ148ER-T1_GE3, 40V 372mA 1.5mOhm@20A,10V 394W N Channel PowerPAK(8x8) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026393408
Артикул
SQJQ148ER-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series
N-Channel 40 V
Series:
SQJ
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 253,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Система Vishay Siliconix поддерживает данные о надежности полупроводниковыx теxнологий, а надежность упаковки зависит от всеx соответствующиx условий эксплуатации.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
SeriesN-Channel 40 V
Series:SQJ
Pin Count8
Fall Time:12 ns
Rise Time:88 ns
Вес, г0.57
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 8x8LR
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-8-8LR-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:68 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:394 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:373 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:120 s
Maximum Drain Source Resistance0.0031 Ω
Maximum Continuous Drain Current372 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт394
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5мОм

Техническая документация