SQJQ140ER-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025005301
- Артикул
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 26 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 27 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQJQ Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET®. Эти МОП-транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, тестируются при 100% Rg и индуктивной коммутации без зажима (UIS). Автомобильные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQJQ обеспечивают очень низкий RDS (при включении) и работают в диапазоне температур от -55°C до +175°C. Эти МОП-транзисторы автомобильного класса выпускаются в корпусе PowerPak® 8x8L, полностью не содержащем свинца (Pb), в одно- и двуxкомпонентныx конфигурацияx. Типичные области применения - автомобилестроение, управление двигателем, электроприводами/актуаторами, системами кузова и аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 26 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 0.9 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 192 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 413 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 650 uOhms |