SQJQ140E-T1_GE3, 40V 701A 0.53m @10V 600W One N-channel PowerPAK-5(8x8) Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062424129
- Артикул
- SQJQ140E-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 48 ns
- Rise Time:
- 117 ns
- Tradename:
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный N-канальный транзистор Vishay TrenchFET - это МОП-транзистор мощностью 40 В. Протестирован на 100% в соответствии с требованиями RG и UIS
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 48 ns |
| Rise Time: | 117 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.43 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK 1212-8W-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 288 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 600 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 39 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 93 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 701 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 530 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |