Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 296 A, 100 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L SQJQ112E-T1_GE3

N-Channel MOSFET, 296 A, 100 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L SQJQ112E-T1_GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026989130
Артикул
SQJQ112E-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SQJ
Product:
MOSFET
Pin Count
4
Цена по запросу
(от 1 092,97 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay TrenchFET® - это автомобильный N-канальный МОП-транзистор IV поколения, работающий при напряжении 100 В и температуре 175°C.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SQJ
Product:MOSFET
Pin Count4
Fall Time:16 ns
Rise Time:21 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 8x8L
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK 8x8L-4
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:181 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:600 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Typical Turn-Off Delay Time:67 ns
Id - Continuous Drain Current:296 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:45 S
Maximum Continuous Drain Current296 A
Rds On - Drain-Source Resistance:2.53 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А296
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация