SQJB70EP-T1_GE3,Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 11.3 A, 11.3 A, 0.078 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000210356
- Артикул
- SQJB70EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Вес, г
- 0.186
Цена по запросу
(от 173 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Dual N-Ch 100 В AEC-Q101 соответствует требованиям
Технические параметры
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Вес, г | 0.186 |
| FET Feature | Standard |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W(Tc) |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11.3A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.078 Ом |