Моя заявка (0)

SQJB68EP-T1_GE3, 100V 11A 27W 2.5V 2 N-Channel PowerPAK-SO-8L Single FETs, MOSFETs ROHS

SQJB68EP-T1_GE3, 100V 11A 27W 2.5V 2 N-Channel PowerPAK-SO-8L Single FETs, MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070101058
Артикул
SQJB68EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SQ
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 122,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SQ
Fall Time:5 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г0.19
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:27 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8.6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:92 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000