SQJB60EP-T1_GE3, 60V 30A 3.8mOhm@10V,2A 48W 2.5V@250uA 2 N-Channel PowerPAK-SO-8L MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070090296
- Артикул
- SQJB60EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Квалификация
- AEC-Q101
- Power Dissipation N Channel
- 48Вт
Цена по запросу
(от 164,75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Power Dissipation N Channel | 48Вт |
| Power Dissipation P Channel | 48Вт |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.01Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.01Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 30А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 30А |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.01Ом |