Моя заявка (0)

SQJA82EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0068 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SQJA82EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0068 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137138
Артикул
SQJA82EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
Mounting
Surface Mount
Pin Count
5
Цена по запросу
(от 283 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 80V 60A Автомобильный AEC-Q101 5-контактный (4 + вкладки) блок питания SO

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
MountingSurface Mount
Pin Count5
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.001
PCB changed4
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Triple Source
Package Width4.37
Package Length4.9
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK SO
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)5
Особенности-
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)68000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)40
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)40@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)14
Maximum Drain Source Voltage (V)80
Typical Turn-Off Delay Time (ns)26
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)60
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2280@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)8.2@10V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0068 Ом

Техническая документация