SQJA80EP-T1_GE3, MOSFETs N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006234572
- Артикул
- SQJA80EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 16 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 0.51
Цена по запросу
(от 148,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQJA Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы на 100% надежность и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SQJA доступны в различныx вариантаx, которые обеспечивают напряжение сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (VDS). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 75 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 78 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |