Моя заявка (0)

SQJA70EP-T1_GE3, 100V 14.7A 0.095Ohm@10V,4A 27W 3.5V@250uA 1 N-channel PowerPAK-SO-8L MOSFETs ROHS

SQJA70EP-T1_GE3, 100V 14.7A 0.095Ohm@10V,4A 27W 3.5V@250uA 1 N-channel PowerPAK-SO-8L MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044551070
Артикул
SQJA70EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
Series:
SQJA
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 87,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы SQJA Автомобильные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQJA - это N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET ®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы на 100% надежность и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SQJA доступны в различныx вариантаx, которые обеспечивают напряжение сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (В постоянного тока). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
Series:SQJA
FET TypeN-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±20V
Fall Time:5 ns
Rise Time:5 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.22
FET Feature-
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerVishay Siliconix
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CasePowerPAKВ® SO-8
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:4 nC
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250ВµA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs95 mOhm @ 4A, 10V
Pd - Power Dissipation:27 W
Power Dissipation (Max)27W(Tc)
Supplier Device PackagePowerPAKВ® SO-8
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Id - Continuous Drain Current:14.7 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:78 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C14.7A(Tc)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация