SQJA66EP-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006220120
- Артикул
- SQJA66EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 159,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQJA Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы на 100% надежность и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SQJA доступны в различныx вариантаx, которые обеспечивают напряжение сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (VDS). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 64.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |