Моя заявка (0)
SQJA62EP-T1_GE3, PowerPAKSO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070210934
Артикул
SQJA62EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
14 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 202,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы SQJA Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы на 100% надежность и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SQJA доступны в различныx вариантаx, которые обеспечивают напряжение сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (VDS). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:14 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5 ns
Вес, г0.25
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:85 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:68 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Id - Continuous Drain Current:75 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:70 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V

Техническая документация