SQJA61EP-T1_GE3,Power MOSFET, P Channel, 60 V, 54.5 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046438112
- Артикул
- SQJA61EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 262 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы при 100% Rg и индуктивной коммутации без зажима (UIS). МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ доступны в вариантаx с напряжением сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (VDS). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.074 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 54.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 54.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.01 Ом |