SQJA42EP-T1_GE3, MOSFETs Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006214597
- Артикул
- SQJA42EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4.47mm
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQJA
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 166,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQJA Автомобильные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQJA - это N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET ®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы на 100% надежность и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SQJA доступны в различныx вариантаx, которые обеспечивают напряжение сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (В постоянного тока). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.
Технические параметры
| Width | 4.47mm |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQJA |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 27 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 27 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 32 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |